グラフェン上で成長する驚くべき構造のナノワイヤ（米イリノイ大学の研究より）

http://www.nanotech-now.com/news.cgi?story_id=47307
　イリノイ大学のエンジニアチームが1枚のグラフェン上で化合物半導体のナノワイヤ成長を試みた時、思いがけずエピタキシの新しいパラダイムを発見した。グラフェン上で大きくなるナノワイヤには驚くべき構造がある。自己組織化ワイヤは芯とさまざまなアプリケーションのための望ましい特徴のある外層をもつ。
　Xiuling Li教授のリーダシップのもと、Eric Pop教授、Jeseph Lyding教授そして電気及びコンピュータ・エンジニアリングのすべての教授が協力して、このチームはこの発見をJournal Nano Lettersに発表した。
　半導体材料の小さい糸であるナノワイヤには、トランジスタ、太陽電池、レーザ、センサなど多くのアプリケーションの可能性がある。Li教授のグループは、半導体材料（たとばシリコン）の平らな基板の上に最初からナノワイヤを成長させるファンデルワールス・エピタキシと呼ばれる方法を使用する。
　ナノワイヤは、III～V族化合物からなる場合、太陽電池、レーザのような光応用に適する。シリコンは最も広く使われている半導体材料であるが、いくつかの欠点を有する。Liのグループは、1枚のグラフェン、特別な物理的・伝導特性をもつ厚さ1原子のカーボンであるグラフェンシート上にインジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）のナノワイヤを成長させた。この薄さにより、シリコンが硬くてもろいのに対し、グラフェンは柔軟である。しかも金属のように、ナノワイヤが直接電気的接触するように伝導する。さらにまた安価で、黒鉛のブロックからはがして薄片にするか、カーボン・ガスから大きくする。
（調査研究・標準部　出井敏夫）