成膜スループット4倍、PZT圧電膜用ソルゲル材料(三菱マテリアル)

20130404電波新聞3面

　圧電MEMSデバイス向けに、従来より4倍のスループットで製膜するチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)圧電膜用ゾルゲル材料を、三菱マテリアルが開発した。PZTの成膜手法はスパッタリング法とゾルゲル法があり今回はゾルゲル法によるもの。1回の成膜で膜厚を400ナノメートルとし、成膜スループットを8.8メートル/時とした。今後は成膜装置メーカーと協力し、8インチウェハーサイズでの量産成膜プロセスを構築する。