MEMS向け圧電体薄膜開発、200ナノ秒でスイッチング(高輝度光センター）

20111227日刊工業新聞18面

　高輝度光科学研究センター、東京工業大学、物質・材料研究機構、京都大学はMEMSなどの素子向けに動作の切り替え(スイッチング)を高速化する圧電体薄膜を開発した。”ナノドメイン”と呼ぶ小さな領域を持ち、従来比で1/10の200ナノ秒でスイッチングができる。圧電体薄膜はインクジェットプリンターのヘッドなどにMEMSの動力源として使われており、スイッチングの高速化により従来より少ないインク量のプリンターが実現する。また、燃料制御のセラミック部品にナノドメイン構造を適用し、燃費向上と排ガス抑制を実現する自動車用エンジンへの貢献が期待される。