3次元半導体の製造装置、化学反応で薄膜形成(アルバック)

20111205日経産業新聞4面

　次世代半導体向けの3次元構造を構築できる半導体製造装置をアルバックが開発した。シリコン半導体ウエハー上に5~7ナノメートルの金属薄膜を立体的に形成する。化学的気相成長法(CVD)装置を利用し、ニッケルとコバルトを使い半導体のゲート電極や配線材料の基になる薄膜を形成する。次世代半導体では電極を立体的に作ることで電流損失を抑え性能向上を図る開発が進み、MPU最大手のインテルは既に量産を決めている。