2011年12月2日金曜日

画期的な圧電特性を備える新薄膜材料がMEMSを変える

海外技術動向
http://www.newswise.com/articles/giant-piezoelectric-effect-to-improve-mems-devices
 ペンシルバニア州立大学の研究者らは従来の圧電薄膜材料を凌駕する圧電特性を備える新圧電薄膜材料を開発した。圧電薄膜が形成されたMEMS構造体はMEMSセンサ、アクチュエータや振動発電素子に応用されている。特に最近ではモーションセンサやデジタルカメラの自動焦点機構へ応用されている。
 これまで最も優れた圧電特性を発揮する薄膜材料はチタン酸鉛ジルコニウム系(PZT)薄膜であった。上記チームは新たにチタン酸鉛マグネシウムニオブ系(PMN-PT)薄膜を開発し、PZTの最高値をさらに2倍以上、上回る特性を備えることを確認した。この材料を用いることによって、特に振動発電素子の実用化が期待される。

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