CNT密度100倍素子、搭載ICを開発(米IBM)

20121109日刊工業新聞25面

　シリコントランジスタのナノレベルまでの微細化は限界とされているが、これを超える可能性の新技術を米IBMワトソン研究所が開発した。1万個以上のカーボンナノチューブ(CNT)のトランジスタから構成された集積回路を開発したもので、数ナノメートルレベルの超微細回路線幅で、低コストでチップを製造する手掛かりになる。開発チップは半導体CNTにより電気的ON/OFFができ、トランジスタ内のシリコン製チャネルをCNTに置き換えられる可能性を持つ。