2012年11月6日火曜日

シリコンウエハー、原子レベルで品質評価、超音波デバイス活用(新潟大)

20121106日経産業新聞1面

 シリコンウエハー上に超音波を検知する微細なデバイスを作製し、ウエハーを伝わる超音波の速度を調べることで、原子レベルの欠陥を調べる技術を新潟大学大学院の後藤輝孝教授らが開発した。原子レベルの欠陥は原子空孔と呼ばれ、シリコン結晶に原子が欠けた状態で、半導体の製品不良の原因となる一方で、特定の電気特性を持たせる、プラスマイナス両面の影響がある。ウエハー上に半導体製造技術で無数の超音波デバイスを作製し、絶対零度まで冷やして0.5ギガヘルツの超音波を当てる。シリコンは冷却により柔らかくなるが、原子レベルの欠陥が多いほど柔らかくなり、超音波の伝わる速度が遅くなることを検知する。原子レベルの欠陥を定量的に調べられる。

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