半導体描画技術を開発、探針、500倍の耐久性、作成コスト大幅低減(東芝など)

20120710日刊工業新聞23面

　プローブ(探針)を使い、回路線幅50ナノメートルの微細加工ができる半導体フォトマスク用露光技術を、東芝、BEANS研究所、東京大学が開発した。次世代以降の半導体フォトマスクの描画・修正技術として3-5年後の実用化を目指す。プローブ先端に庇部とシリコン基板に接する接触部を設け、接触部は保護部となるマイクロメートルスケールの機械的接触部とナノメートルスケールの電気的な接触部に分離し、これを同時に基板に接触して描画する。プローブの耐久性を従来比500倍とした。プローブによる露光技術は電子線より微細なパターンを描画でき、コストも安いが、時間がかかりプローブの先端が摩耗するという面があった。