IMEC：ポリSiGeプロセスを応用したCMOS積層型圧力センサを開発

海外技術動向
http://www.pddnet.com/news-cmos-integrated-poly-sige-piezoresistive-pressure-sensor-demonstrated-101311/ 　
　IMECはポリSiGe薄膜及びピエゾ抵抗を用いたCMOS積層型圧力センサ素子を開発した。130nmCMOSの最終工程にpolySiGeを応用したMEMSプロセスを組み込んでいる。
　polySiGeは低温形成で（約400℃）機械的な特性に優れるため、MEMS／CMOS積層型素子の開発に適している。これまで最終AlプロセスCMOSでMEMSの積層化を行って来たが今回は、積層化により適した（電気抵抗、信頼性）最終CuプロセスCMOSとpolySiGeMEMSの積層化に成功した。この結果は今後、CMOS／MEMS集積デバイスの発展に大きく寄与するであろう。
　具体的な構造はCMOS上にエアギャップを介してpolySiGeメンブレンが形成されタングステンTSVでCMOSと圧力センサ部は配線されている。圧力センサ部のプロセス温度は最高455℃、メンブレンの面積は0.25mm□である。感度は2.5mV/V/barだがCMOSで増幅後、158mV/V/barになる。