EUV露光15ナノメートルパターン形成（JSAなど）

20111021日刊工業新聞11面

　化学増幅型の感光性材料を使用し、極端紫外線(EUV)露光による線幅15ナノメートルのパターン形成にJSRと米国半導体製造技術組合(SEMATEC)が成功した。これまで非化学増幅型レジストで15マイクロメートルパターンに成功した例があったが、光の感度が低く実用化に向かなかった。化学増幅型レジストは現在一般的に使われており、課題であった酸の拡散を制御する材料を設計し、成功した。次世代半導体微細化技術のEUV露光実用化に貢献が期待される。