平らなグラフェン成膜、原子レベルで形成(東北大など)

20120807日経産業新聞9面

　次世代材料であるグラフェン(シート状炭素分子)の成膜技術を東北大学の吹留博一准教授らが開発した。グラフェンの層数を制御しナノスケールで電子物性を自在に操れる。炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフィンを作りこむとき、MEMS技術を活用して数マイクロメートルのパターンを作り、基板表面のナノレベルの段差による電子密度のバラツキを抑えた。グラフェンはシリコンや炭化ケイ素より電子が100倍以上移動しやすく、発光する性質もある。高速演算素子や、演算と発光を備えた素子の実用化を目指す。