３D半導体製造装置、次世代技術導入控え、貫通電極用５種、エッチング・成膜など投入（東京エレクトロン）

20120126日経産業新聞７面

　半導体を複数枚重ね、穴をあけて電極を貫通させるシリコン貫通電極(TSV)向けの新型半導体製造装置を東京エレクトロンが開発した。半導体メーカーは立体的に実装する３D半導体技術の導入を2012年に計画しており、これに対応したもの。プラズマを使いウエハー表面の金属材料を削るエッチング装置では、1分あたりに削る深さを10マイクロメートルから15マイクロメートルに向上した。穴の周囲に絶縁膜を形成する成膜装置では絶縁材料ノポリイミドを均一に形成できる。