2012年1月5日木曜日

進化続く製造装置・プロセス、高密度化(半導体/電子部品)に対応

20120105電波新聞第21
 スマートフォンやタブレットPCの急速な普及により、電子部品のファインピッチ化、高密度化が進み、製造プロセスや製造装置の進化が続いている。シリコンウエハー径の300ミリから450ミリへの移行が予定されているが、大口径化によるファインピッチ化が膨大なコストを必要とすることから、3次元実装による高密度化が注目されている。15年にはCPUDRAM、フラッシュメモリー、MEMSRFデバイス等をすべて3次元実装した製品の登場が予測されている。

 また、半導体チップのパッケージング内実装(ベアチップ)や、チップ表面と基板の接続をアレイ上に並んだ突起端子(バンプ)で接続するフリップチップ工法も注目されている。

 基板に半導体チップや電子部品を搭載するマウンターも、二つの基板搬送ラインで同時に2枚を生産するデュアルレーン生産方式が注目されている。

 はんだ材料の多様化が進んでいる。環境問題から鉛フリー化し銀を加えたSnAgCu系はんだが普及しているが、銀価格の高騰化により銀レスはんだの製品化も始まっている。

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