オムロンのMEMS技術を応用、高耐圧パワーMOSFET（米アイモス）

20110809電波新聞3面

　オムロンのMEMS製造技術を応用し、高耐圧パワーMOSFETを米アイモス・テクノロジー社が開発し、同市場に参入する。高耐圧パワーMOSFETは、従来、縦長のN/P層を形成するため、成膜を繰り返し多段に積み重ねる「多層エピ」による製造が一般的だった。アイモス社は厚い単層に深い溝（トレンチ）を掘り、トレンチの側面からイオン注入、拡散する方法で縦長のN/P層を形成する。このトレンチによる製造法は、性能向上とコスト面で有利という。深いトレンチの形成にオムロンがMEMS製造で培ったディープエッチング技術を使用している。第1弾製品としてソースドレイン電圧最大650V、ドレイン電流最大20A で、オン抵抗0.170オームなど4種を出荷した。