貫通電極ビア高速検査、次世代半導体の多層化へ、非破壊で全数に対応(高岳製作所)

20120413日刊工業新聞8面

　貫通電極ビア(TSV)の形状を、共焦点法による光学検査でウエハーの表面から3次元に測定する検査ユニットを高岳製作所が開発した。穴の直径5マイクロメートル以上で、直径の10倍の深さまで測定可能で、深さの最大は200マイクロメートル。TSVは多層化した半導体の上下を接続する電極用の穴で、一般にエッチングで窪みを作り、ウエハーを下から削って穴を貫通させる。微細化・高密度化に伴い穴の小径化が求められるが、ひつような窪みができたか検査が難しかった。