2015年4月1日水曜日

最高水準の圧電素子、低温形成(アルバック)

20150401日経産業新聞6面

 アルバックは圧電材料のPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜を500℃以下の低温で形成できる技術を開発した。これまでは困難だった、PZT薄膜を使った圧電MEMSと半導体回路の同時形成が可能となった。

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