20110128 日経産業新聞 4面
次世代半導体製造装置は回路線幅が10㎚台で、その本命はEUV(極紫外線)と言われているが、製造に至るにはハードルが高い。3大課題の一つがレジストで解像度と感度につきさらに改良が必要。二つ目がフォトマスクで、反射させるものを使うが、マスク自体の欠陥の検査技術が確立しておらず、ウエハーへの転写精度の保証ができない。三つ目が最大の課題で光源。大出力の光源が必要だが、現時点では量産レベルで安定した光源はない。EUVに移行は間違いなく、20年ごろに露光装置出荷台数の1/3はEUVになるとみている。
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