次世代半導体向け回路原版、10ナノ台開発前倒し

20110118 日経産業新聞 4面

　凸版印刷と大日本印刷は両社合計でシェアの50％を超える半導体フォトマスクの大手だが、それぞれの方向で開発を加速している。凸版印刷はIBMと共同開発し、既存の露光技術を使い回路線幅14㎚に対応するマスクを13年中に量産予定。半導体メーカーは新規設備投資の抑制と既存製造ノウハウを活用できる。大日本印刷はウエハーに原版を直接接触させて転写する「ナノインプリント技術」の確立を急いでいる。線幅22㎚で12年にも量産化し、10㎚台にも対応できるという。実用化できると装置の大幅な低コスト化が可能。両社が開発を急ぐのは次世代露光技術である極紫外線(EUV)の開発が遅れていることによる。EUVが本命とはしながら、半導体メーカーが想定する量産時期に間に合わない恐れがあり、間をつなぐ技術としている。