半導体向け回路原版線幅14ナノ微細化対応(凸版、IBM)

20110117 日本経済新聞朝刊 9面

　回路線幅が14㎚のLSI向けフォトマスクを凸版印刷とIBMが共同開発する。現在最高の20㎚の回路に比べて、シリコンウエハーからとれる半導体チップ数が40～50％増えるという。10㎚台の微細化にはEUV(極紫外線)による露光技術が必要とされ、この実用化は15年前後といわれていた。両社のフォトマスクは現行の光学レーザーで回路を転写・形成でき、製造装置の全面刷新を行わずに次世代LSIを製造できる。