シリコン基板上に微小な蓄電部品(東大・デンソー）

20110117 日本経済新聞朝刊 11面

　シリコン基板上に多数の細い溝を立体構造に仕上げ、微小なキャパシターを作ることに東京大学杉山正和准教授とデンソーの共同チームが成功した。平面上の従来タイプに比べ70倍の電気をためられ、自動車の加速度センサー等小型部品の電源に使えるという。300μm角のシリコン基板に幅2㎛、深さ60㎛の溝を多数掘り「超臨界流体」状態のに酸化ケイ素と銅を順に流し、2層で覆った。電気容量は2.2ナノファラドで、1㎝角のシリコン基板を使えば電気容量は2000～3000倍になる。