プローブリソグラフィー、半導体の描画装置向け(東芝など)

20110126　日刊工業新聞　29面/20110126　日経産業新聞　9面

　次世代半導体向けの微細パターン描画技術の一つである「プローブリソグラフィー」で、描画するプローブの耐久性を25倍に高める技術を、NEDOが進める「異分野融合型次世代デバイス製造技術開発(BEANS)プロジェクト」の一環で東芝が東京大学などと共同で開発した。プローブリソグラフィーは、とがったプローブの先端を基板にあててその電気化学反応により微細パターンを描画する。プローブの材質と構造を工夫することにより、耐久性と描画性能を両立した。現在のLIS製造で使われている光による描画技術の光リソグラフィーでは光の回折限界から線幅に限度があり、電子ビームリソグラフィーではコストが高い課題があった。新技術は回路を描くの時間がかかるため大量生産には向かないが、コストが安く済み少量生産回路に向く。