IMEC、SiGe on CMOS プロセス技術開発によりオプトデバイス機能向上

2010.08　海外技術動向
http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/memssemicon.html
　
　IMECは、CMOSウェハ上にSiGeやメタル工程を応用したMEMS構造体を形成するCMOS集積型MEMSデバイスをこれまで開発してきた。今回ディスプレイ用に15μｍ□のSiGeマイクロミラー（6電極）を開発した。これは現行の2値PWM(pulse-eidth modulation)制御に代わりアナログPWM制御を可能にした。これによってディスプレイとしてグレースケールの表現力が大幅に向上する。他にレスポンス速度の向上、演算処理、メモリの負担軽減の効果もある。<br>　また同じく新しいSiGe on CMOSプロセス技術で回折型GLV(Grating Light Valves)も開発した。これまでのGLVは静電駆動によりアレイ状に形成された各マイクロビームの反射の有無を制御していた。新開発のGLVでは回折光の強度を印加電圧の大きさで制御できるようにしている。これによってコントラスト比、解像度、輝度を向上させることができる。これらのデバイスは、300nｍ厚のSiGe構造体形成技術によって実現することができた。