IMECファンドリーサービスにSiGe-MEMS on CMOSプロセスを追加

2010.06　海外技術動向
http://www.i-micronews.com/news/Imecs-CMORE-offering-extended-SiGe-MEMS-foundry-service-MPW,5043.html

　IMECはCMOSとMEMS等の異種デバイスを集積化させるプロセス技術をCMOREと呼び産業界に技術協力或いはファンドリーサービスを行っている。今回IMECはCMOREにSiGeMEMS/CMOS集積化プロセスのファドリーサービスを追加した。また大学向けに一つのウェハに異なる機関の複数種のチップを同時形成するMulti-Project-Wafer(MPW)サービスも開始した。
　IMECはその保有技術を生かしたファンドリーサービスを行っている。強み技術として高電圧化、CMOS画像素子、フォトニック素子、MEMS、Si貫通電極、ウェハパッケージング、デバイス設計、検査、信頼性試験等が含まれ依頼者はIMECが保有するこれらのノウハウを活用することができる。試作数のスケールとしては、基礎的な可能性検討からプロトタイピング、生産立ち上げ時の少量量産レベルまで含んでいる。また量産ファンドリーへ委託するまでのつなぎ役として、ファンドリーへの移行を意識した開発も行っている。<br>　SiGe-MEMSプロセスは、CMOS上にSiGeから成るMEMS構造体を形成するもので、すでにマイクロミラー/CMOS集積型素子の開発例がある。このCMORESiGe-MEMSプロセスは、小型化、高SN比化等集積型のメリットを十分享受できるもので、様々なデバイスに広く応用可能である。SiGe層の厚さは300nm～4μmまで制御可能で、例えば300nmはマイクロミラー等のオプトデバイス、4μm厚はジャイロ等のメカニカルデバイスへの応用が考えられる。またシミュレーションを用いたデバイス設計サービスも行っており、依頼者はプロトタイピングまでの開発のスピードアップが可能である。またIMECは台湾TSMCと連携しており、TSMCで0.18μmCMOSウェハを試作して、その上にIMECで引き続いてMEMS構造を形成していくといったプロセスも可能である。