微小凹凸でLSI接合、三次元素子へ新技術（九州大学）

20110204 日経産業新聞 10面

　3次元素子の実現につながる、複数枚の集積回路を積み重ねる技術を、九州大学の浅野種正教授と渡辺直也研究員らが開発した。LSI同士の配線を銅でできた直径数マイクロメートルの突起と溝をかみ合わせ、数十秒押し付けると、溝は原子レベルで融合し、通電する。加熱が要らず、LSIの傷みもなく、LSIを積み上げたりLSIとMEMS をつないだり一体化できる。LSIを積み上げる3次元LSIではこれまで100～400度で加熱してLSI同士を張り付ける必要があったが、加熱によるLSIのひずみや銅の表面の酸化による障害の恐れがあった。