CEA-Leti（仏）：チップtoウェハ（300mm）直接金属接合技術開発

2011.2　海外技術動向
http://www.businesswire.com/news/home/20110222006149/en/CEA-Leti-Chip-to-Wafer-Direct-Metallic-Bonding-Technology-Developed-Leti-Customized
　CEA-Letiは3次元集積化のためのキー技術であるチップtoウェハ接合技術をSET社の接合装置を用いて開発した。この技術はSTMicroelectronics、ALES、ＣＮＲＳ-CEMESらが参加する共同プロジェクトで活用されている。
　CEA-Letiは４つの分野（エネルギー、IT、ヘルスケア、防衛）で研究開発を進めるフランスの公的研究機関である。企業の競争力の向上を目的に、企業との共同研究を基本としている。特に中核をなす技術分野はマイクロ/ナノエレクトロニクスでアプリは無線デバイス、ナノバイオ、フォトニクス等になる。プロセス設備は200、300mmラインを保有、1200人の研究者、共同研究企業は200社に及ぶ。SET社（Smart Equipment Technology）はチップtoチップ接合、チップtoウェハ接合、フリップチップボンダ、ナノインプリント等のプロセス設備を世界に供給しているフランスのメーカである。
　本技術は上記機関が参加するMinalogic PROCEED projectで活用されている。これは2009年12月開始で政府から4.2Meuroの出資を受けた2年間のプロジェクトである。この技術を用いるとチップをウェハに低温、低圧でボンディングすることが可能で、3次元集積化デバイスに大いに寄与するであろう。