「究極露光」EUV実用化へ、日本メーカー出遅れ

20101021 日経産業新聞 3面

　半導体露光装置最大手のオランダASMLがEUV(極紫外線)露光試作装置の出荷を始めた。早ければ2年後にも回路線幅20㎚前後の量産が始まる。一方、日本の装置メーカーは出遅れている。現在最先端の20～30㎚の製造では露光を2回行う「ダブル・パターンニング」を行うが、工程増によるコストが2倍となるが、EUVでは1回で済む。量産用装置は推定1台100億円で、1時間当たり100枚のウエハー処理で現状方式とコストが見合う。しかし、現状では光源出力が追い付いていない等、量産技術確立には課題が残っている。業界3位のキャノンは最先端開発から脱落し、残るはニコンのみだが、ニコンのEUV装置実用化は15年以降の方針である。