2㎜角の触覚センサー、従来の100倍の感度、東大が開発

20120131日刊工業新聞29面

　東京大学IRT研究機構の下山勲教授らは2ミリメートル角の薄膜3軸触覚センサーチップを開発した。絶縁膜上シリコン(SOI)素子の層内に形成したビーム(面持ち梁)の側面に、従来の金属ひずみ素子の100倍の感度を持つピエゾ抵抗層を形成し、ビームが摩擦力により基板平面内での変形量を検知する。東大発ベンチャーのタッチエンスを通じ5月をめどに実用化する。