MEMS向け半導体検査、速度2.6倍(モリテックス)

20110726日経産業新聞4面 　赤外線を使い半導体ウエハーの内部構造を透過検査する新型装置をモリテックスが開発した。MEMSの検査に適しており、ソフトウエアや装置の機構を変更して従来機種に比べ検査速度を2.6倍に高めた。観察倍率は33倍から1760倍まで、ウエハの投入から検査終了まで自動化でき、8インチのウエハまで対応し、1時間当たり12枚まで検査できる。シリコン材料を透過する赤外線を使用し、ウエハ内部の構造を観察できる。MEMSでは封止後のチップの状態で内部形状を観察できる。次世代半導体ではチップを重ね、チップ間を電極でつなぐシリコン貫通電極(TSV)技術が使われており、この検査にも需要があるとみられる。