次世代半導体製造向け露光装置、生産効率高め巻き返し(ニコン)

20130731日経産業新聞4面

　次世代半導体製造向け露光装置でニコンが競合するASMLとは異なる技術で受注を獲得している。ニコンが手掛けるのは「Arf液浸露光」という技術で、波長が193ナノメートルの光源「Arf」を使用し、回路原版(フォトマスク)の回路をレンズで集光しウエハーに転写する際に、レンズのウエハーの間を純水で満たして集光性を高めるもの。純水を使う事で屈折率を1.44まで高める事が出来、微細な回路をウエハーに焼き付けられる。ニコンはこの技術による露光装置をインテルなどから受注。現在主流の直径300ミリから450ミリへの大型化に対応し、2015年に試作機、17年には量産機を出荷する。ASMLは波長が13.5ナノメートルとArfの10分の一以下の極紫外線(EUV)を使った装置の開発に力を入れているが、まだ次世代ウエハー用の装置では受注していない。ニコンは1990年代にウエハー大口径化への移行時に技術面でASMLに後れを取りシェアを大きく落としたが、今回は奪還を狙っている。