LSI集積度100倍、回路に原子3個分の膜（東大など）

20121211日経産業新聞9面

　東京大学のイエ・ジャンティン特任講師と岩佐義宏教授らは理化学研究所と共同で、大規模集積回路（LSI）の集積度を100倍以上に高める技術を開発した。電子の通り道に二硫化モリブデンを用いたトランジスタを開発したが、二硫化モリブデンは電子3個分で出来た厚さ0.6ナノメートルのシートが重なった構造をしている。新材料の薄膜を使えば電極間を1ナノマイクロメートルに狭められ、LSI集積度を高められる。